马全宝
,
叶志镇
,
何海平
,
朱丽萍
,
张银珠
,
赵炳辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01113
通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜, 研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响. X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构. ZnO:Ga透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小, 随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小, 在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小, 晶粒尺寸最大. 薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大, 沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10-4Ω·cm. 此外, 所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%.
关键词:
ZnO:Ga
,
transparent conductive oxide film
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magnetron sputtering
,
oxygen partial pressure
,
electrical and optical properties
